碳化硅是典型的第三代半導體材料，應用廣泛，近年來發展迅速。中國電科產業基礎研究院（13所）自2004年開始對碳化硅材料、器件進行工藝研究，與國際先進水平同步。經過多年的建設和發展，2017年，4英寸碳化硅電力電子工藝線正式實現批產供貨；為進一步擴充產能、對標國際先進，2019年，產業基礎研究院（13所）采用改擴建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。
截至目前，6英寸碳化硅電力電子工藝線已穩定生產供貨。期間通過不斷優化產品性能指標，產業基礎研究院（13所）技術團隊又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產品開發，產品指標均可對標國際一線品牌。
近年來，電動汽車市場快速增長，其中高壓碳化MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件，市場需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流碳化硅MOSFET芯片，代表了當前碳化硅電力電子芯片技術的最高水平，全球范圍內具備批量供貨能力的廠家屈指可數。
產業基礎研究院（13所）經過多年的技術積累和艱苦攻關，突破多項關鍵技術，完成了車規級1200V/100A碳化硅MOSFET芯片產品批量生產，實現了多款產品的系列化，產品品質得到了國內多家車企的認可。
