碳化硅是典型的第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用廣泛，近年來發(fā)展迅速。中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院（13所）自2004年開始對碳化硅材料、器件進行工藝研究，與國際先進水平同步。經(jīng)過多年的建設(shè)和發(fā)展，2017年，4英寸碳化硅電力電子工藝線正式實現(xiàn)批產(chǎn)供貨；為進一步擴充產(chǎn)能、對標(biāo)國際先進，2019年，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院（13所）采用改擴建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。
截至目前，6英寸碳化硅電力電子工藝線已穩(wěn)定生產(chǎn)供貨。期間通過不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能指標(biāo)，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院（13所）技術(shù)團隊又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產(chǎn)品開發(fā)，產(chǎn)品指標(biāo)均可對標(biāo)國際一線品牌。
近年來，電動汽車市場快速增長，其中高壓碳化MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件，市場需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流碳化硅MOSFET芯片，代表了當(dāng)前碳化硅電力電子芯片技術(shù)的最高水平，全球范圍內(nèi)具備批量供貨能力的廠家屈指可數(shù)。
產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院（13所）經(jīng)過多年的技術(shù)積累和艱苦攻關(guān)，突破多項關(guān)鍵技術(shù)，完成了車規(guī)級1200V/100A碳化硅MOSFET芯片產(chǎn)品批量生產(chǎn)，實現(xiàn)了多款產(chǎn)品的系列化，產(chǎn)品品質(zhì)得到了國內(nèi)多家車企的認可。
